金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构”的专利，授权公告号CN223219401U，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种制造成本较低的Sic VDMOSFET结构，本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介质层和栅极电极，栅介质层内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有缓冲结构，两个缓冲结构的上方分别设置有导电源区和导电阱区。该制造成本较低的Sic VDMOSFET结构，增加Sic VDMOSFET器件使用的稳定性，以及能够跟随功率传输时产生的高温及时调整其电阻值，同时，解决带电粒子发生移动使介质发热会增加电流而发生漏电损耗的问题。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目16次，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员